近来，中科院方案财政局安排专家对半导体所承当的国家严重科研配备研发项目深紫外固态激光源前沿配备研发项意图子项目深紫外激光光致发光光谱仪进行了检验。中科院院计...

  近来，中科院方案财政局安排专家对半导体所承当的国家严重科研配备研发项目“深紫外固态激光源前沿配备研发项目”的子项目“深紫外激光光致发光光谱仪”进行了检验。中科院院方案财政局局长孔力、副局长曹凝，科研条件处处长杨为进等领导莅临指导作业，深紫外整体部总经理詹文山、处长任俊和项目主管梁建宁到会了会议。专家组成员包含北京大学秦国刚院士、中科院监审局袁东主任、北京大学沈波教授、清华大学葛惟昆教授、中科院物理研讨所汪力教授，北京工业大学沈光地教授、北京中科科仪股份有限公司李奇志研讨员、中科院微电子研讨所刘明研讨员、北京航空航天大学许怀哲教授。项目承当单位半导体所所长李树深院士、副所长祝宁华、项目负责人王占国院士、科技处处长郑婉华等领导以及合作单位的代表和专家共20余人参与项目检验会。

  孔力局长就国家严重科研配备“深紫外固态激光光源前沿配备研发项目”介绍了项目立项的布景和其它子项目检验的一些状况，并就方案财政局近期关于仪器研发项意图一些状况做了阐明。

  深紫外激光光致发光光谱仪具有最稳态发射光谱和时刻分辩光谱测量功用，将用于AlN、BeZnO、BN、金刚石等超宽带隙半导体资料以及其它发光波长在深紫外区资料物理研讨和光学性质表征。该光致发光光谱仪的运用，将打破现在无法对超宽带半导体资料的光学性质进行深入研讨的困境，弄清上述资猜中没有处理的许多根本物理问题，为超宽带隙半导体资料的资料物理研讨做出奉献，进而对尚处于探究阶段的资料成长研讨起到有力的推动效果，使得我国在超宽禁带半导体资料研讨范畴走在国际前列。

  专家组听取了项目组的研发作业陈述、用户运用陈述、财政组的财政查看陈述及测验组的测验陈述，现场查看了设备的运作状况。专家组以为，该项目研发的深紫外激光光致发光光谱仪的仪器方针达到了项目使命书方针和要求，完成了预订的研发使命项目、经费运用合理，检验资料完整，都赞同经过检验。

  为了推动咱们国家科研配备自主研发，探究国家财政对科研配备自主立异的支撑方法，“十一五”期间，财政部安排专项资金在中科院展开了“国家严重科研配备自主研发试点”作业。“深紫外固态激光源前沿配备研发项目”是2007年发动施行的严重科研配备研发项目，半导体所承当了其间的“深紫外激光光致发光光谱仪”子项目。在办理机制上，“深紫外固态激光源前沿配备研发项目”推行了研讨所法人责任制和项目监理制，并成立项目整体部，以强化项意图优势集成和进程办理。一起，各子项目承当单位活跃尽力合作项目整体部和项目监理组对项目施行进程的监督作业，按《施行方案》中的进展安排及年度查核方针拟定具体的作业规划，树立内部安排办理体系和作业进展办理体系，清晰作业分化结构和安排分化结构，以及与之相适应的人员分工和协同联系，施行年度执行状况和严重事项陈述准则，稳步推动项意图施行。该项意图成功研发为我国其他严重科学仪器研发和开展作业供给了学习。